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低沉積速率使膜層結(jié)構(gòu)疏松

    低沉積速率使膜層結(jié)構(gòu)疏松,電子越過其勢壘產(chǎn)生電導的能力弱,加上氧化和吸附作用,所以電阻值較高,電阻溫度系數(shù)偏小,甚至為負值。隨著沉積速率的增大,電阻值也由大到小,而溫度系數(shù)卻由小到大,由負變正。這是由于低沉積速率的薄膜由于氧化而具有半導體特性,所以溫度系數(shù)出現(xiàn)負值;而高沉積速率薄膜趨向金屬的特性,所以溫度系數(shù)為正值。因此,一般情況下,也希望有較高的沉積速率。但對特定的材料要從具體的實驗中正確選擇*的沉積速率。
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